据TechRadar报道，随着磁性传感器技术在游戏外设中普及，TMR（隧道磁阻）和霍尔效应两种技术成为主流。TMR在精度和功耗上更优，但成本较高。

霍尔效应由科学家Edwin Hall于1879年发现，利用半导体和磁铁产生的电压变化检测移动。相比传统机械电位器，霍尔效应避免了物理接触，从而减少摇杆漂移问题，并允许键盘按键触发点从0.1毫米到4.0毫米可调。由于没有金属触点磨损，理论上寿命更长。

TMR技术则更先进，由Michel Jullière于1975年发现，通过磁性隧道结中的量子力学效应测量电阻变化。其灵敏度高，能检测磁场微小差异，实现精准输入，且功耗极低（微安至亚毫安级），优势明显。

在对比中，TMR在功耗、灵敏度和精度方面优于霍尔效应，两种技术的轮询率均可达到8000Hz。不过，霍尔效应制造更成熟，成本较低；TMR则处于成熟阶段，价格正在下降。

尽管TMR更具优势，但成本仍是制约其普及的因素。目前更多高端无线手柄和超精度键盘采用TMR，而霍尔效应已广泛应用。两者在游戏外设领域各有定位。