据CNBC报道，中国存储芯片制造商长鑫存储上周末宣布在开发更高效的新设计方面取得重大进展，导致周二全球科技股大幅下跌。长鑫存储称，新架构可将更多数据装入更小空间，从而提高存储密度。作为中国对标美光、SK海力士和三星电子的主要存储芯片企业，这一消息令市场感到不安。

市场反应集中在存储芯片板块。美光周二盘前下跌3.7%，SK海力士在韩国上市的股票收跌10%，三星电子下跌7.4%。SanDisk、希捷和西部数据等存储相关股票也全部走低。CNBC另一篇市场评论称，芯片股跌势从韩国市场开始，韩国综合股价指数隔夜下跌5.5%，美光下跌近4%，以科技股为主的纳斯达克准备大幅低开。

长鑫存储今年7月才因首次公开募股进入全球视野。该公司在上海科创板上市首日大涨近466%，当时成为中国市值最高的上市公司。此后其股价较发行首日每股49元下跌4%，但市值仍达3.46万亿元人民币，约合5200亿美元，与科技巨头腾讯的3.87万亿元人民币相差不远。公司总部位于合肥，2016年成立，上市时间距创立约十年。

上市后，长鑫存储面临的最大问题之一，是能否缩小与美光、三星和SK海力士的能力差距，尤其在高带宽存储领域。高带宽存储是AI芯片系统的关键部件。庞大的国内需求支撑着长鑫存储，但该公司在获取芯片制造设备方面仍面临障碍。美国出口管制实际上禁止这类设备进入中国，包括ASML极紫外光刻机，而制造最先进半导体需要这类设备。

据CNBC报道，长鑫存储计划在2026年底前推出基于新单元架构的服务器存储产品。新设计基于“4F平方”技术，可实现更高存储密度。SK海力士也在推进4F平方设计，并于2025年公布了相关开发路线图。分析师通常认为长鑫存储在全球存储技术前沿落后于竞争对手，因此任何突破消息都可能显著影响投资者对全球竞争对手市场优势的看法。

尽管面临出口管制挑战，长鑫存储已取得显著市场份额。根据汇丰银行周四的一份报告，其在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场的份额已从一年前约4%升至约10%。花旗分析师在8月的一份报告中表示，美国政府不太可能允许中国制造的存储芯片在美国销售，但向欧洲等其他地区数据中心的销售可能间接影响美光。

英国《金融时报》7月援引知情人士报道，苹果已开始测试长鑫存储的DRAM芯片，用于在中国销售的设备，并游说美国政府允许更广泛使用该公司产品。苹果被要求置评。CNBC另一篇市场评论还提到，博通CEO陈福阳在新加坡一场活动上称，很多投资者不清楚自己在投资什么，他们设定极端预期，结果几乎像在赌场。该评论称，伤害股票的不是需求，而是投资者情绪。

同日公布业绩的华尔街银行表现分化。高盛营收超过市场预期近20亿美元，股价盘前涨超3%；富国银行利润超预期但营收不及预期，股价下跌2%；摩根大通出现罕见的每股收益不及预期；花旗每股收益和营收超预期。