据Engadget 8月28日报道，NAND闪存因为速度快、体积小、断电后仍能保存数据，已成为固态硬盘、智能手机、存储卡等设备的常用存储介质。但这篇梳理文章同时指出，闪存每GB成本高于机械硬盘，反复写入和擦除会使存储单元逐渐损耗，这些短板迄今没有完全消失。

Engadget介绍，大容量闪存大多基于NAND结构，存储单元在绝缘层中保存电荷，通过电压状态表示数据。3D NAND把单元垂直堆叠，TLC和QLC设计则让每个单元分别记录3个或4位数据，从而在相近空间内提高容量并摊薄成本。正因为没有旋转盘片和机械读头，SSD比机械硬盘延迟更低、更抗磕碰，也更能适应轻薄设备。文章也提醒，闪存不是内存的替代品：RAM速度更快，负责临时工作数据，NAND负责持久化存储，“闪存ROM”的说法并不准确，因为闪存可擦写。

闪存最大的问题是寿命。每个NAND单元能承受的编程/擦除次数有限，QLC等每单元多位设计在提升密度、降低成本的同时缩小了数据状态间的电压余量，因此耐久性和性能通常低于更简单方案。现代SSD通过主控的磨损均衡、错误校正、坏块退出和预留空间来延长寿命，TRIM和垃圾回收则应对“写入可按小页进行、擦除却必须以大块为单位”的特性。文章称，这些后台处理让多数消费者感受不到耐久性风险。三星为1TB 990 Pro提供五年或600TB写入量的质保，但达到该数值并不意味着硬盘立即失效，重要文件仍应备份。

价格则更难控制。机械硬盘依然在备份、大型媒体库等低速场景中提供更低的单位成本。TrendForce预测，2026年第二季度NAND合约价可能环比上涨70%至75%，第三季度再涨10%至15%，原因是供应紧张以及AI和数据中心需求旺盛。

替代技术也在探索。相变存储2006年前后曾被当作候选，英特尔后来推出定位在DRAM与NAND之间的Optane，称其比闪存更快更耐用，但相关业务从2022年起被逐步收缩。MRAM、铁电存储等仍在研发，目前没有明确候选者能把NAND从主流存储位置拉下来。NAND自身则通过更高3D堆叠和更复杂单元设计继续发展，商用产品已超过300层。