据TechRadar报道，Kioxia公布了其GP系列固态硬盘的升级版本，在512字节数据块的随机读取测试中超过2000万IOPS，约为2026年8月发布的GP1的两倍。

新版本基于第三代XL-FLASH存储介质，读取速度为此前的三倍，写入速度提升约150%。Kioxia称其思路是以接近内存级速度的闪存切入AI市场，与DRAM展开竞争。第三代XL-FLASH通过缩短字线和位线布线降低RC延迟，每颗晶粒中集成的plane数量超过第二代的16个，读取效率预计提升约40%，写入效率提升约80%，但每次操作的能耗预计仍将继续上升。

“Kioxia正在为AI基础设施打造改变游戏规则的高性能闪存存储解决方案，”Kioxia美国公司SD业务部门高级副总裁兼总经理Neville Ichhaporia表示，“随着AI带来新的性能需求，可扩展、高效的存储成为创新的基础。”

作为参照，初代GP1采用每单元存储2比特的MLC颗粒，并支持更快的SLC模式，采用16 plane布局，读取延迟低于5微秒。它是一款PCIe 6.0 NVMe 2.2硬盘，面向GPU直接访问存储，耐久度最高为50 DWPD。Kioxia尚未公布升级版的耐久度指标，也未确认是否沿用PCIe 6.0接口，但该产品很可能延续前代的路线。

Kioxia同时展出了LD4。这是一款单端口QLC硬盘，每单元存储4比特，采用E1.L规格和四通道PCIe 5链路，容量为15.36 TB和30.72 TB，设计上可扩展至122.88 TB，面向超大规模数据中心客户，但相较Kioxia LC9的246 TB仍属有限。15.36 TB型号占据E1.L外壳的四分之一空间，61.44 TB版本可能位于四分之三位置。

LD4采用218层BiCS 8闪存，被视为2023年10月推出的LD2的后继产品。LD2使用PCIe 3接口，容量与LD4相同。Kioxia跳过了LD3。LD4支持NVMe 2.0、OCP 2.6规范，并提供防止数据丢失的全路径防护。采用PCIe 5接口的同类E1.L产品包括美光6550 ION、大普微R6060和FADU Echo。截至发稿，Kioxia尚未公布LD4的速度与耐久度数据。