荷兰半导体设备制造商ASML于当地时间9月8日宣布，三星电子和台积电将继英特尔之后采用其最新的High NA极紫外（EUV）光刻机。两家公司还联合发起一项新计划，推动芯片制造从6英寸光罩转向更大的12英寸光罩，以提高晶圆厂生产率并降低制造成本。ASML在声明中称，三星计划在2028年将High NA EUV技术用于DRAM存储芯片的生产，台积电则将从2030年开始在先进制程节点中部署该技术。

目前，High NA EUV技术仅有英特尔在18A制程上投入使用，用于生产部分Core Ultra系列处理器。ASML表示，英特尔已基于该工艺制造了超过100万片晶圆，并正在开发名为18A-P的进阶版本，据称苹果正考虑将该工艺用于下一代A系列手机处理器。但ASML也承认，该技术的量产爬坡并不容易，三星和台积电可能面临瓶颈，从而影响其计划中的投产时间。

与此同时，ASML与台积电、三星共同成立了推动12英寸光罩的产业联盟。光罩用于将芯片图案转印到晶圆上，现行行业标准为6英寸。另一家大型芯片制造商SK海力士正在评估是否加入该联盟。台积电表示，更大的光罩将"提高晶圆厂生产率、降低芯片制造成本并消除拼接限制"。

由于High NA EUV工艺在现有光罩尺寸下无法完整覆盖大型芯片，制造商必须将芯片特征"拼接"起来，这增加了生产的复杂性和成本。采用12英寸光罩后，芯片无需拼接即可一次成型。ASML首席技术官马尔科·皮特斯对路透社表示，"如果我们作为一个行业实现这一点，这些系统的生产率将提高40%"。

ASML计划于2031年开始测试12英寸光罩生产设施，预期在2033年投入量产。