据雷峰网报道，3D存算一体芯片企业谦合益邦近日宣布，其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着该技术从验证阶段正式迈入工程落地。

该芯片采用谦合益邦自研的三维集成原生计算架构，以逻辑层为基底、4层DRAM堆叠其上，构成“4+1”三维堆叠结构，在全球首次实现4层芯片垂直方向的高密度集成，将计算单元与存储单元在三维空间深度融合，从架构上打破了传统平面布局中计算与存储分离造成的“内存墙”瓶颈。堆叠层数直接决定存算一体芯片的访存带宽与容量上限，但每增加一层，良率、可靠性和热管理难度都会成倍上升，层间对准精度、垂直互连一致性、堆叠散热控制均考验设计与工艺极限。

据谦合益邦介绍，得益于新的架构，芯片的数据访存带宽较传统方案提升一个数量级，访存功耗和延时降低一个数量级，单位时间数据处理吞吐量提升一个数量级，单次数据处理成本下降一个数量级，为云游戏等大规模并行计算与高并发数据流处理场景提供了新的硬件加速路径。

谦合益邦成立于2024年1月，由网易孵化，是国内最早专注3D存算一体和三维集成原生芯片架构的芯片公司。其核心团队从2018年起便启动全球首款基于3D DRAM存算一体架构芯片的探索研发，经过多轮流片和迭代，积累了行业稀缺的技术壁垒。目前，公司已联合国内产业链伙伴打通从架构定义、前后端设计到先进3D封装、晶圆制造的全流程，实现核心技术自主可控。

近期，谦合益邦完成超20亿元B轮融资。网易有道与中国移动链长基金作为长期股东及合作伙伴，将在业务层面与公司深度协同，为芯片规模化落地提供需求入口与验证场景。